Одноканальный драйвер затвора силовых транзисторов от компании Chipanalog
Компания Теллур Электроникс рада представить одноканальный драйвер затвора силовых транзисторов CA-IS3215/6-Q1, обладающий усиленной изоляцией, функцией активной защиты, высоким значением помехоустойчивости CMTI и током пропускания до 15 А, подходящий для IGBT и SiC MOSFET транзисторов, выпущенный Shanghai Chipanalog Microelectronics Co., Ltd (более известной как Chipanalog).
Китайские производители уже прочно обосновались на российском рынке электронных компонентов. Не является исключением и уже успевшая зарекомендовать себя компания Chipanalog, которая является ведущим производителем цифровых изоляторов, изолированных интерфейсов и аналоговых компонентов, предлагаемых со склада Теллур Электроникс – официального дистрибьютора.
Одна из новинок о которой сегодня пойдет речь – драйвер затвора.
Обзор продукта
CA-IS3215/6 — это серия одноканальных драйверов затвора на основе емкостной изоляции, которые объединяют в себе множество функций защиты и использоваться для управления IGBT и SiC MOSFET транзисторами.
Драйвер обладает расширенными функциями активной защиты, отличными динамическими характеристиками и высокой надежностью, обеспечивая при этом ток потребления до ±15 А пикового значения.
CA-IS3215/6 обеспечивает электрическую изоляцию с помощью технологии емкостной изоляции SiO2. Он поддерживает рабочее напряжение изоляции 1,5 кВ RMS и устойчивость к импульсным перенапряжениям 12,8 кВ. Срок службы изолирующего барьера составляет более 40 лет при номинальном рабочем напряжении, а также имеет хорошую согласованность работы устройства и устойчивость к синфазным переходным процессам (CMTI) >150 В/нс.
CA-IS3215/6 имеет следующие функции защиты: быстрое обнаружение перегрузки по току и короткого замыкания, активная защита от короткого замыкания, активный зажим Миллера, активное понижение напряжения, зажим короткого замыкания, плавное отключение, отчет о неисправностях. Во всей серии CA-IS3215/6 используется ширококорпусный SOIC-16.
Основные характеристики:
- Номинальное напряжение 5,7 кВ RMS.
- Управление SiC MOSFET и IGBT транзисторами с напряжением до 2121 В.
- Максимальное выходное напряжение 33 В (VDD–VEE).
- Пиковый ток ±15 А.
- Отдельные конфигурации выходов OUTH и OUTL.
- Высокая устойчивость к синфазным переходным процессам: 150 В/нс.
- Функция быстрой защиты DESAT с временем отклика 200 нс.
- Встроенный активный зажим Миллера с пиковым током 4 А.
- Плавное отключение при токе 400 мА (IGBT) или 1 А (SiC) в случае неисправности.
- Независимый входной контроль ASC на стороне привода и на стороне управления, используемый для принудительного открытия силовой трубки в случае сбоя системы (не все модели).
- В случае перенасыщения предупреждение FLT сбрасывается RST/EN.
- Быстрое выключение/включение RST/EN.
- 40 нс (типовое) подавление переходных процессов и импульсов на входных контактах.
- 12 В VDD UVLO и функции индикации готовности к работе.
- Сквозная защита мертвой зоны (некоторые модели).
- Широкий корпус SOIC16.
- Срок службы изоляционного барьера составляет более 40 лет при номинальном рабочем напряжении.
- Диапазон рабочей температуры перехода (Tj): от –40°C до 150°C.
Характеристики задержки:
- Задержка распространения сигнала менее 130 нс;
- Искажение ширины импульса менее 30 нс;
- Согласование задержки между устройствами менее 30 нс.
Сферы применения:
- Изолирующие DC/DC- и AC/DC-преобразователи источников питания в серверах, телекоммуникационном и промышленном оборудовании;
- DC/AC-преобразователи солнечной энергии;
- Драйверы электродвигателей и зарядные устройства электромобилей;
- ИБП и зарядные устройства;
- Блок быстрой зарядки постоянным током;
- Инвертор электромобиля;
- Автомобильное зарядное устройство;
- Автомобильный DC-DC преобразователь высокого напряжения.
|
Оформите заявку на сайте, мы свяжемся с вами в ближайшее время и ответим на все интересующие вопросы.
|
Заказать образцы
|