Магниторезистивная память от Netsol под заказ от Теллур Электроникс
15 марта 2022
В настоящее время производители систем контроля промышленной автоматики, медицинского оборудования, устройств управления электропитанием, коммуникационных систем, серверов, систем хранения данных широко применяют MRAM. Особенно это актуально при перебоях с электропитанием, а также в условиях перепадов температур.
Решения на основе MRAM позволяет заменить Flash, SRAM и даже EEPROM одновременно, что делает решения простыми и надежными, на 2 порядка снижается коэффициент программных ошибок. Последовательные MRAM работают на частоте 40 МГц, используется SPI интерфейс такой же как у FLASH и EEPROM, параллельные MRAM имеют асинхронный интерфейс по аналогии SRAM контроллеров.
Основные особенности:
Решения на основе MRAM позволяет заменить Flash, SRAM и даже EEPROM одновременно, что делает решения простыми и надежными, на 2 порядка снижается коэффициент программных ошибок. Последовательные MRAM работают на частоте 40 МГц, используется SPI интерфейс такой же как у FLASH и EEPROM, параллельные MRAM имеют асинхронный интерфейс по аналогии SRAM контроллеров.
Основные особенности:
- Тип корпуса BGA/DFN, низкий профиль, небольшие размеры;
-
Неограниченное количество циклов записи;
-
Возможность замены многих видов энергонезависимой памяти Flash/SRAM/ EEPROM/NVRAM/BBSRAM;
-
Ёмкость до 16 Мбит на чип;
-
Работа при входном напряжении от 3В;
-
Структура ячейки (1T-1MTJ), транзистор + магнитный туннельный p/n переход;
-
Высокоскоростные параллельный SRAM и последовательный SPI интерфейсы;
-
Возможность считывания данных на высокой скорости без изменения состояния ячейки;
-
Наименьший коэффициент программной ошибки;
-
Соответствуют стандартам RoHS;
-
Срок хранения данных не менее 20 лет
|
Оформите заявку на сайте, мы свяжемся с вами в ближайшее время и ответим на все интересующие вопросы.
|
Заказать образцы
|