FM25V10-GTR
Артикул:
30000106321
Микросхема - FM25V10-GTR
Подробнее
2 510 ₽/шт
Есть в наличии (97)
Запросить образцы
-
+
В корзину
ООО "Теллур Электроникс" работает только с юридическими лицами по безналичной оплате.
Для оптовых и проектных покупателей действует система скидок. Обращайтесь к менеджерам компании. Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен при заказе оффлайн.
Внимание!
В связи с изменением ставки НДС цены, указанные на сайте, находятся в процессе обновления.
Актуальную стоимость товара, пожалуйста, уточняйте у менеджера компании.
Для оптовых и проектных покупателей действует система скидок. Обращайтесь к менеджерам компании. Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен при заказе оффлайн.
Внимание!
В связи с изменением ставки НДС цены, указанные на сайте, находятся в процессе обновления.
Актуальную стоимость товара, пожалуйста, уточняйте у менеджера компании.
Описание
FM25V10 — это 1-Мбит энергонезависимая память, использующая передовую ферроэлектрическую технологию. Ферроэлектрическая память с произвольным доступом (F-RAM) является энергонезависимой и выполняет чтение и запись аналогично ОЗУ. Она обеспечивает надежное сохранение данных в течение 151 года, устраняя сложности, накладные расходы и проблемы надежности системы, связанные с использованием серийных флеш-памяти, EEPROM и других энергонезависимых типов памяти.ОСОБЕННОСТИ:
• Очень быстрый последовательный периферийный интерфейс (SPI)
- Частота до 40 МГц
- Поддерживает SPI-режим 0 (0, 0) и режим 3 (1, 1)
• Сложная схема защиты записи
- Аппаратная защита с использованием пина Write Protect (WP)
- Программная защита с использованием команды Write Disable
- Программируемая защита блока для 1/4, 1/2 или всей памяти
• Низкое потребление энергии
- 300 мкА в активном режиме при 1 МГц
- 90 мкА (тип.) в режиме ожидания
- 5 мкА в режиме сна
Характеристики
Бренд
CYPRESS
