S6R1616V1M-YI10
Артикул:
40000279360
Микросхема - S6R1616V1M-YI10
Подробнее
Доступно под заказ (0)
Запросить образцы
Запросить возможность поставки
Наши менеджеры обязательно свяжутся с вами и уточнят условия заказа
ООО "Теллур Электроникс" работает только с юридическими лицами по безналичной оплате.
Для оптовых и проектных покупателей действует система скидок. Обращайтесь к менеджерам компании. Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен при заказе оффлайн.
Для оптовых и проектных покупателей действует система скидок. Обращайтесь к менеджерам компании. Цена действительна только для интернет-магазина и может отличаться от цен при заказе оффлайн.
Описание
Высокоскоростная SRAMS6R1616V1M-YI10
16 789 216-битный высокоскоростной модуль SRAM, организованный как 1 М слов по 16 бит.
Модуль использует 16 общих линий ввода/вывода и выходной контакт разрешения, работающий быстрее, чем время доступа к адресу в цикле чтения.
Доступ к нижнему/верхнему байту устанавливается с помощью управления байтом данных (НЕ UB, НЕ LB).
Этот 3,3-вольтовый 16-мегабайтный кристалл SRAM производится с использованием ячейки памяти Hi-Rel 6T транзистора.
Особенности:
Быстрое время доступа: 8, 10, 12, 15 нс (макс.)
Режим управления байтами данных LB: I/O0~ I/O7, UB: I/O8~ I/O15
Входы и выходы, совместимые с TTL
Полностью статическая работа, не требуется тактирование или обновление
Выходы с тремя состояниями
